Samsung ha già calato tre assi per l’anno 2015: Galaxy S6, Galaxy S6 Edge Plus e Galaxy Note 5. Tre smartphone già arrivati sul mercato e dotati dello stesso processore proprietario Exynos 7420, una soluzione interna preferita all’attuale Snapdragon 810 e rivelatasi nel tempo vincente e in linea con le aspettative. L’hardware del futuro sembra però già essere delineato con quantitativi di Ram sempre maggiori e processori sempre più potenti.
Direttamente dal sito Geekbench arriva un primo, presunto benchmark dell’Exynos 8890, inedito SoC che potrebbe essere l’anima del prossimo Galaxy S7 in alternativa allo Snapdragon 820 di Qualcomm e al progetto Mongoose della stessa compagnia coreana. Il prototipo utilizzato per il test prende il nome di Samsung Lucky, è basato su Android 5.1 Lollipop ed è affiancato da 4 GB di Ram. I punteggi ottenuti sono stati rispettivamente di 1409 in modalità single-core e 4882 core in modalità multi-core. Ricordiamo che l’attuale Exynos 7420 si aggira sui 1300 punti in single core e 4380 in multi-core. Dalle altre informazioni rileviamo una struttura formata da 8 ore ARMv8 con clock fissato a 1.3 GHz.
Ci sono invece novità più concrete per le memorie Ram, utilizzate per gestire il multitasking e altre esose richieste dei software odierni. Notizia dell’ultima ora riguarda Samsung, la quale ha ufficializzato i nuovi moduli DRAM LPDDR4 da 12 GB, sviluppati con processo produttivo a 20 nm. Il quadro sul boost di prestazioni vede: 30% in più di velocità (4.226 Mbps) rispetto agli attuali da 4+4 GB, 20% di consumi in meno e produttività aumenta del 50%. Sui top di gamma del 2016 non sarà quindi difficile vedere 6 GB di Ram che, insieme ad Android 6.0 Marshmallow, potrebbero regalare al consumatore finale una migliore esperienza utente in termini di rapidità di esecuzione.
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