Samsung è conosciuta principalmente come il produttore numero uno al mondo di smartphone ma l’azienda sta investendo anche in altri settori, tra cui componenti hardware di vario tipo.
La notizia di oggi riguarda un importante traguardo raggiunto dall’azienda che ha realizzato il primo modulo DDR5 da 512 GB al mondo che utilizza una tecnologia di processo High-K Metal Gate.
Conosciuta anche come HKMG, questa tecnologia era precedentemente utilizzata nei semiconduttori logici e garantisce prestazioni migliorate con una potenza ridotta fino al 13%. Utilizzata dal 2018 per la memoria GDDR6 di Samsung, la tecnologia HKMG consente la creazione di moduli di memoria progettati specificamente per carichi di lavoro a larghezza di banda elevata nei supercomputer. Samsung afferma che può far fronte molto bene alle attività eseguite da AI e ML, ma anche per le applicazioni di analisi dei dati.
“La DDR5 di Samsung utilizzerà la tecnologia HKMG altamente avanzata che è stata tradizionalmente utilizzata nei semiconduttori logici. Con il continuo ridimensionamento delle strutture DRAM, lo strato isolante si è assottigliato, portando a una corrente di dispersione più elevata. Sostituendo l’isolante con materiale HKMG, la DDR5 di Samsung sarà in grado di ridurre le perdite e raggiungere nuovi livelli di prestazioni. Questa nuova memoria utilizzerà anche circa il 13% in meno di energia, rendendola particolarmente adatta per i data center in cui l’efficienza energetica sta diventando sempre più critica”, spiega l’azienda.
Il doppio della velocità di DDR4
Il modulo utilizza la tecnologia through-silicon, nota anche come TSV, per impilare un totale di otto diversi chip DRAM da 16 GB.
“Portando questo tipo di innovazione di processo nella produzione di DRAM, siamo in grado di offrire ai nostri clienti soluzioni di memoria ad alte prestazioni ma ad alta efficienza energetica per alimentare i computer necessari per la ricerca medica, i mercati finanziari, la guida autonoma, le città intelligenti e oltre”, Young-Soo Sohn, vicepresidente del gruppo di pianificazione / abilitazione della memoria DRAM di Samsung Electronics, spiega.
Il nuovo modulo aumenta le prestazioni di DDR4 di oltre due volte, consentendo trasferimenti fino a 7.200 megabit al secondo.