Raffigurazione del processore Qualcomm Snapdragon 835

Novità Qualcomm: Snapdragon 835 con Samsung e Quick Charge 4.0 ufficiali!

Giornata ricca di novità per Qualcomm, la chipmaker americana che si occupa di progettare la maggior parte dei processori per smartphone in circolazione. Proprio oggi a New York si è tenuta la conferenza stampa in cui è stato svelato il nuovo standard di ricarica Quick Charge 4.0 e la partnership con Samsung per realizzare il prossimo SoC top di gamma Snapdragon 835. Ma andiamo per ordine.

Quick Charge 4.0: l’ultima frontiera della ricarica

Qualcomm Quick Charge 4.0

E’ la nuova tecnologia di ricarica rapida con cui Qualcomm assicura di poter ricaricare il 50% delle batterie in soli 15 minuti. Rispetto all’attuale Quick Charge 3.0 il miglioramento in termini di velocità è del 20%, sotto il profilo dell’efficienza si arriva fino al 30%. Tutto ciò è stato reso possibile dal debuttante standard USB Type-C grazie a cui è possibile inserire il cavetto USB in entrambi in versi.

Nessun problema poi sotto il profilo della sicurezza, Qualcomm ha assicurato che le temperature massime non supereranno mai le soglie critiche attraverso svariati livelli di protezione che controlleranno in tempo reale voltaggio, temperature interne e corrente elettrica.

Rispetto alla prima versione lanciata nel 2013, Quick Charge 4.0 promette prestazioni superiori di 2,5 volte. Il debutto è previsto nel corso del 2017 con una presenza sulla maggior parte dei top di gamma con processore compatibile.

Snapdragon 835: Qualcomm si affida a Samsung

Qualcomm e Samsung per il processore Snadpragon 835

Rinnovata la partnership con il produttore coreano Samsung, da qualche anno leader anche nella creazione vera e propria di SoC con investimenti mirati che hanno portato la creazione di fabbriche ad alti volumi di produzione.

La nomenclatura Snapdragon 830 sarà saltata e proprio Samsung si occuperà di produrre Snapdragon 835 sfruttando il nuovo processo produttivo FinFET a 10 nm con cui saranno creati da zero chip piccolissimi che non solo conterranno l’unità di elaborazione vera e proprio ma anche il modulo radio e tanti altri sensori. I dettagli e le caratteristiche tecniche dello Snapdragon 835 non sono state ancora rese note ma sappiamo che grazie al processo a 10 nanometri l’area è stata ristretta del 30% rispetto agli attuali 14 nm, il che si traduce in prestazioni migliori del 27% e consumi ridotti del 40%.

Anche Snapdragon 835 arriverà nella prima metà del 2017 e sarà con tutta sicurezza il SoC di riferimento per i top di gamma firmati LG, HTC, Sony e Xiaomi. Confermato poi il supporto alla ricarica veloce Quick Charge 4.0 di cui abbiamo parlato in apertura.

“Siamo felici di continuare a lavorare assieme a Samsung nello sviluppo di prodotti che guidano il settore mobile. Utilizzando il nuovo processo produttivo a 10nm ci si aspetta che il nostro chip di fascia alta Snapdragon 835 possa essere in grado di offrire una riduzione dei consumi, incremento delle prestazioni e, allo stesso tempo, aggiungere altre capacità che possano migliorare l’esperienza d’uso dei dispositivi mobili del domani – ha affermato Keith Kressin, senior vice president, product management, Qualcomm.